
機(jī)電壓力開(kāi)關(guān)相比電子壓力開(kāi)關(guān)具有諸多優(yōu)勢(shì)。它們憑借堅(jiān)固的機(jī)械結(jié)構(gòu),本質(zhì)上具備故障安全功能,并且無(wú)需任何有源電子電路即可免受電磁干擾 (EMI) 的影響。機(jī)電壓力開(kāi)關(guān)通常用于關(guān)鍵的安全聯(lián)鎖裝置,例如半導(dǎo)體制造設(shè)備的大氣壓力開(kāi)關(guān)(即 ATM 開(kāi)關(guān))。
ATM 開(kāi)關(guān)是半導(dǎo)體制造設(shè)備工藝室的安全聯(lián)鎖裝置,用于確保工藝室處于安全壓力下,以便向環(huán)境開(kāi)放。SEMI S2 半導(dǎo)體制造設(shè)備環(huán)境、健康和安全指南建議使用機(jī)電設(shè)備作為安全聯(lián)鎖裝置,例如 ATM 開(kāi)關(guān),因?yàn)樗鼈兙哂泄收习踩δ堋?/p>
圖 1 是半導(dǎo)體制造設(shè)備示意圖,其中顯示了各種真空傳感和控制元件。ATM 開(kāi)關(guān)安裝在負(fù)載鎖裝置上,因?yàn)樗颦h(huán)境開(kāi)放,以便晶圓往返于設(shè)備之間進(jìn)行輸送。符合 SEMI 規(guī)范 F19 和 F20 的 UHP 級(jí) 316L 不銹鋼通常用于 ATM 交換機(jī)的濕潤(rùn)表面,以盡可能保持工藝清潔而不受污染。

圖1. 假設(shè)的沉積或蝕刻工具,顯示真空傳感和控制元件。資料來(lái)源:MKS儀器手冊(cè),《半導(dǎo)體器件和工藝技術(shù)》,第99卷,2017年12月
ATM 開(kāi)關(guān)是一種安全聯(lián)鎖裝置,通過(guò)將工藝腔內(nèi)的壓力保持在低于大氣壓的水平,防止?jié)撛诘挠泻埩魵怏w從工藝腔體逸出到環(huán)境中。ATM 開(kāi)關(guān)的激活點(diǎn)設(shè)置在略低于大氣壓的水平,這樣如果 ATM 開(kāi)關(guān)被激活,工藝腔體將無(wú)法打開(kāi)。
根據(jù)測(cè)量基準(zhǔn),壓力有兩種不同的表示方式:絕對(duì)壓力和表壓。絕對(duì)壓力是以零壓力(即絕對(duì)真空)為基準(zhǔn)測(cè)量的壓力,因此無(wú)論環(huán)境如何變化,其值都保持不變。表壓是以測(cè)量地點(diǎn)的大氣壓為基準(zhǔn)測(cè)量的壓力。大氣壓會(huì)隨著天氣狀況和測(cè)量地點(diǎn)的海拔高度而變化,因此表壓值也會(huì)相應(yīng)變化。
常用的壓力測(cè)量單位是 psi(磅/平方英寸)、inHg(英寸汞柱)和 bar。國(guó)際單位制 (SI) 單位是 Pa(帕斯卡),相當(dāng)于 N/m2(牛頓/平方米)。還有其他單位,例如 atm(大氣壓)、mmHg(毫米汞柱)和 torr(托)。為了區(qū)分絕對(duì)壓力和表壓,會(huì)在單位末尾添加 a 或 g,例如 psia 或 psig。Torr 表示絕對(duì)壓力,常用于真空測(cè)量。
以下是假設(shè)溫度保持不變的情況下,大氣壓與海拔高度的關(guān)系方程。

等式 1 大氣壓力與高度的關(guān)系。來(lái)源:氣壓公式
這表明,隨著海拔高度的升高,大氣壓力呈對(duì)數(shù)下降。
下圖顯示了大氣壓力隨海拔高度的變化。

圖2. 大氣壓力與海拔高度的關(guān)系。來(lái)源:工程工具箱
由于大氣壓會(huì)隨海拔和天氣條件的變化而變化,ATM 開(kāi)關(guān)的壓力參考點(diǎn)須為表壓。我們以英特爾的兩家晶圓廠 Fab D1X 和 Fab 11X 為例,說(shuō)明為什么須以表壓為參考點(diǎn)。
Fab D1X 位于俄勒岡州希爾斯伯勒,F(xiàn)ab 11X 位于新墨西哥州里奧蘭喬。希爾斯伯勒的海拔高度約為 150 英尺(約 45 米),里奧蘭喬的海拔高度約為 5,500 英尺(約 1500 米)。希爾斯伯勒的平均日大氣壓約為 29.8 英寸汞柱(757 托),而里奧蘭喬的平均日大氣壓約為 24.5 英寸汞柱(622 托)。
假設(shè)兩家晶圓廠使用的負(fù)載鎖 ATM 開(kāi)關(guān)的啟動(dòng)點(diǎn)均設(shè)置為低于大氣壓 30 托,且壓力會(huì)逐漸升高。這將確保負(fù)載鎖內(nèi)部的壓力始終低于大氣壓力,以便負(fù)載鎖打開(kāi)時(shí),其中殘留的氣體不會(huì)排放到大氣中。
如果 ATM 開(kāi)關(guān)的壓力參考值為絕對(duì)壓力,則無(wú)論晶圓廠位于何處,其激活點(diǎn)均為 730 Torr(以 760 Torr 為大氣壓)。如果將此 ATM 開(kāi)關(guān)用于 Fab D1X,其大氣壓為 756 Torr,則激活點(diǎn)比大氣壓低 26 Torr。即使壓力差比預(yù)期低 4 Torr,ATM 開(kāi)關(guān)仍可作為安全聯(lián)鎖裝置,使負(fù)載鎖內(nèi)的壓力低于大氣壓。
但如果將此 ATM 開(kāi)關(guān)用于 Fab 11X,其大氣壓為 622 Torr,則激活點(diǎn)實(shí)際上比大氣壓高 108 Torr。此 ATM 開(kāi)關(guān)無(wú)法達(dá)到激活點(diǎn),因此無(wú)法發(fā)揮安全聯(lián)鎖裝置的作用。
如果 ATM 開(kāi)關(guān)的壓力參考值為表壓,則無(wú)論晶圓廠位于何處/海拔高度,其激活點(diǎn)都比大氣壓低 30 Torr。激活點(diǎn)分別為 Fab D1X 的 727 托和 Fab 11X 的 592 托,即使氣壓發(fā)生變化,ATM 開(kāi)關(guān)也將始終發(fā)揮安全聯(lián)鎖的作用。
了解絕對(duì)壓力和表壓之間的區(qū)別,以便根據(jù)您的需求選擇合適的壓力開(kāi)關(guān)類型至關(guān)重要。如上例所示,這兩個(gè)測(cè)量值之間的差異非常顯著。
30 多年來(lái),Wasco 一直為半導(dǎo)體設(shè)備制造商提供多種型號(hào)的超高純 (UHP) 壓力開(kāi)關(guān),這些開(kāi)關(guān)同時(shí)提供表壓和絕對(duì)壓力參考。選擇壓力開(kāi)關(guān)時(shí),還需要考慮其他因素,例如結(jié)構(gòu)材料、尺寸、工藝溫度、連接器類型等。